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La integración heterogénea (HI) se refiere al proceso de combinar un conjunto de componentes electrónicos con diferentes funciones y composiciones de materiales en un sistema único y compacto. Particularmente en aplicaciones de radiofrecuencia (RF) y microondas, los diseños basados en HI se adaptan a una mayor densidad funcional y un mejor rendimiento cuando se implementan teniendo en cuenta los requisitos específicos de la aplicación. Los dispositivos pasivos integrados (IPD), como conductores, resistencias, vías, trazas y puentes, desempeñan un papel importante en HI porque son en gran medida responsables de la optimización del rendimiento resultante cuando se combinan los componentes.
El papel de HI y IPD en el diseño electrónico
Los IPD con diseños basados en HI presentan un mundo de posibilidades en lo que respecta al rendimiento y la optimización de la fabricación. Esto es lo que puede esperar:
Desempeño mejorado
La integración de diferentes materiales y tecnologías da como resultado ganancias de rendimiento. Por ejemplo, los materiales semiconductores como el arseniuro de galio (GaAs), el nitruro de galio (GaN) y el silicio (Si) maximizan la eficiencia y la potencia de salida cuando se combinan en amplificadores, mezcladores y osciladores. Esta combinación es especialmente adecuada para aplicaciones como radar, comunicaciones por satélite y redes 5G.
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